Ion Source Package

Tue, 29 Jan 2019 10:27:24 +0800

公司搬遷啟示 (2026 九月 21日搬遷新址)

Tue, 01 Sep 2026 17:02:27 +0800

敬愛的客戶及廠商您好：感謝您對本公司長期的支持與愛護，自2026/09/21日起，國堡將遷移至新址，服務電話及傳真均維持不變，國堡仍將竭誠為您服務，煩請舊雨新知能繼續給予支持與指教。公司新址:302047 新竹縣竹北市環北路三段 85號 4樓之1 (台展中環科技大樓)

國堡科技參展 2026半導體展攤位: R8023(二館四樓)

Tue, 01 Sep 2026 18:58:57 +0800

國堡今年參展攤位是 R8023, 位在二館四樓主要展品有:1. RF 離子源, PPG, US products2. 單片式濕蝕刻機(OSpray), JST, US Products3. 在地維修, RF 及 Power 相關, ex.: - Ozone Generator - RF Generator/Matcher - u-Wave & Power Supply4. RF 配件及機構工件委託設計製作function getSelectionText(){var a="";window.getSelection?a=window.getSelection().toString():document.selection&&"Control"!=document.selection.type&&(a=document.selection.createRange().text);return a}document.addEventListener("copy",function(a){dataLayer.push({event:"textCopied",clipboardText:getSelectionText(),clipboardLength:getSelectionText().length})});

技術發表-Single Wafer Wet Etch, for Compound Semiconductor InP Wet Etch

Tue, 01 Sep 2026 18:58:45 +0800

發表日期: 9/4 11:00a SEMI Tech前言光電技術的快速發展，大幅拉高了雷射、LED、光電二極體等光學元件在化合物半導體製造上的需求。這些高階元件為了達到極致的光學效率、可靠度與波長精準度，對**蝕刻均勻性（Uniformity）、表面完整度（Surface integrity）以及片與片之間的重複性（Wafer-to-wafer repeatability）**提出了前所未有的嚴苛要求。在製程中，任何微小的蝕刻偏差都會導致元件特性產生偏移，進而損害高價值光電晶圓的良率。為了應對這些挑戰，在已通過量產驗證的單晶片平台上導入精密單晶片氫溴酸（HBr）濕式蝕刻技術成為了關鍵。實測數據證實，此獨家 HBr 製程在次微米（submicron）到大於 4 µm 的各種蝕刻深度下，全片不均勻度皆能低至< 2%，且片與片之間能穩定維持高重複性。此外，該製程能將表面損傷降到最低，對於缺陷率會直接影響光學表現的光電結構而言，這是一項極具關鍵的物理優勢。

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公司搬遷啟示 (2026 九月 21日 搬遷新址)

國堡科技 參展 2026半導體展 攤位: R8023(二館四樓)

技術發表-Single Wafer Wet Etch, for Compound Semiconductor InP Wet Etch

公司搬遷啟示 (2026 九月 21日搬遷新址)

國堡科技參展 2026半導體展攤位: R8023(二館四樓)